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氣相成底膜設備,六甲基二硅胺烷(HMDS)烘箱在半導體光刻的用途
來源: | 作者:上海雋思半導體設備部 | 發布時間: 2024-10-08 | 1172 次瀏覽 | 分享到:

集成電路的制造包括近800道物理、化學工序,主要有5個制造階段:晶圓(Wafer)的制備、芯片制造、芯片檢測、芯片封裝和驗收測試。

其中半導體芯片生產主要涉及IC設計、IC制造、IC封測三大環節。

核心IC制造環節是將芯片電路圖從掩膜轉移至硅片上,并實現對應功能的過程,包括光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學機械研磨等步驟。

光刻的成本約占整個芯片制造成本的1/3,耗費時間約占整個芯片工藝的40-60%,是大規模集成電路制造過程中最復雜、昂貴和關鍵的工藝。

一般的光刻工藝要經歷八道工序:氣相成底膜、旋轉涂膠、軟烘、對準曝光、后烘 、顯影、堅膜烘焙和檢測。

氣相成底膜工藝:

首先用六甲基二硅胺烷在硅片上形成底膜,該底膜使硅片表面疏離水分子,同時增強對光刻膠的結合力。

氣相成底膜設備,六甲基二硅胺烷(HMDS)烘箱

  HMDS烘箱將六甲基二硅胺烷HMDS氣相沉積至半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后,經系統加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。

氣相成底膜設備,六甲基二硅胺烷(HMDS)烘箱特點:


HMDS藥液泄漏報警提示功能

HMDS低液位報警提示功能

工藝數據記錄功能

藥液管道預熱功能

程序鎖定保護等功能

氣相成底膜設備,六甲基二硅胺烷(HMDS)烘箱性能:

1.尺寸(深*寬*高)

內腔尺寸:450×450×450(mm)(可定制)

外形尺寸:750×1120×1650(mm)

2. 材質:外箱采用優質冷軋板噴塑,內箱采用 316L 醫用級不銹鋼

3.溫度范圍:RT+50-200℃

4.溫度分辨率:0.1℃

5.溫度波動度:≤±0.5

6 真空度:≤133pa(1torr)

7.電源及總功率:AC 220V±10% / 50HZ,總功率約 3.2KW

8.控制儀表:人機界面,一鍵運行

9.擱板層數:2 層

10.HMDS控制:可控制HMDS 藥液添加量

11.真空泵:無油渦旋真空泵


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